中国のスマートフォン大手シャオミ（Xiaomi、小米）が8月24日、独自開発の最新フラッグシップ半導体「XRING O3（玄戒O3）」を発表しました。回路の線幅が3ナノメートル（nm、ナノは10億分の1）という最先端の製造技術を採用し、性能測定アプリ「AnTuTu」で世界初となる522万点を記録しました。米クアルコムや台湾メディアテックが独占してきた高性能チップ市場に、中国勢が本格参入する動きが鮮明になっています。
世界初のLPDDR6対応、性能を大幅に底上げ
XRING O3は、モバイル向けチップとして世界で初めて次世代メモリー規格「LPDDR6」に対応しました。最大転送速度は毎秒1万667メガビット、メモリー帯域幅は毎秒113.8ギガバイトに達し、前世代の「XRING O1」から48%向上しています。トランジスタ（電子回路の基本素子）の数は240億個と26%増え、チップの面積は133平方ミリメートルに収めています。
スマホから車まで、自前の「頭脳」を追求
製造は台湾積体電路製造（TSMC）が担います。シャオミは9月に投入する折りたたみ式スマホ「Xiaomi 18 Fold」に、このXRING O3を初めて搭載する予定です。同社は自動運転向けの高性能AIチップ「XRING D100」も同時に発表しており、これは中国初の3nm世代の車載向け高演算チップと位置づけられます。開発を終え、来年の実用化を目指しています。
米国が先端半導体の対中輸出規制を強めるなか、シャオミが自社設計のチップで最先端の性能に迫った意味は大きいといえます。スマホから車まで、自前の頭脳を持とうとする中国勢の技術力の底上げが進んでおり、クアルコムやメディアテックが次に狙う2nm世代への移行競争と合わせ、半導体をめぐる主導権争いは一段と激しさを増しています。
日本への影響
シャオミの半導体内製化の加速は、日本の電子部品・素材メーカーにとって商機と競争圧力の両面を意味します。3nmチップの製造や高性能スマホには、村田製作所の積層セラミックコンデンサー、TDKや太陽誘電の電子部品、信越化学工業やSUMCOのシリコンウエハーといった日本企業の高品質な部材が欠かせません。中国スマホの高性能化が進めば、これらの部材需要が押し上げられる可能性があります。
一方で、中国が自前で先端チップを設計・調達できる領域を広げれば、日本メーカーが得意としてきた分野でも中長期的に競合が強まる恐れがあります。ソニーグループのイメージセンサーなど、日本が優位を保つ製品でも安穏とはしていられません。日本の投資家としては、中国スマホ市場の拡大が追い風となる部材メーカーの受注動向を見極めつつ、米中の技術覇権争いがサプライチェーンをどう塗り替えるのかを、長い目で注視することが求められます。
まとめ：スマホの「頭脳」をめぐる競争は、いまや国家の技術力を映す鏡になっています。日本の部品メーカーがこの潮流にどう乗るか、静かに目を凝らしておきたいですね。
出典：
TrendForce – Xiaomi Unveils 3nm XRING O3
HotHardware – Xiaomi Taps TSMC For 3nm Xring O3 Chip
The Next Web – Xiaomi unveils custom 3nm chip for intelligent driving
Photo: Kevin Masson / Unsplash
